HS3G-K M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS3G-K M6G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.1241 |
6000+ | $0.1166 |
15000+ | $0.109 |
30000+ | $0.1085 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 400 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 37pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS3G |
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
50NS, 3A, 300V, HIGH EFFICIENT R
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3G-K M6GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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